LED是發光二極管(Light Emitting Diode)的英文縮寫，它是利用固體半導體芯片作為發光材料的一種半導體電子元件，被譽為“21世紀新固體光源時代的革命性技術”。相比白熾燈、節能燈等傳統照明產品而言，其節能、環保、壽命長、瞬時啟動、高顯色等優點得到了全世界的普遍認可。無論從節約電能、降低溫室氣體排放的角度，還是從減少環境污染的角度，LED作為新型照明光源都具有替代傳統照明光源的極大潛力，各國也掀起了推廣LED照明的浪潮。

日本、美國、歐盟、韓國等國相繼推出國家半導體照明計劃，早在1998年日本就率先展開“21世紀照明”計劃，美國聯邦政府在2002年也啟動了“國家半導體照明研究計劃”即“下一代照明計劃(NGLl)”，力推LED照明。歐盟的“彩虹計劃”也2000年7月啟動，委托6個大公司、2所大學，通過歐盟的補助金來推廣白光發光二極管的應用歐。同時韓國在2004-2008年也投入1億美元，實施“固態照明計劃”。中國也在2012年印發了《半導體照明科技發展“十二五”專項規劃》，提出到“十二五”末發光二極管(LED)在通用照明市場占有率達到30%，形成5000億元產業規模的目標。

剛剛過去的2013年是我國LED行業快速發展的一年，根據CSA產研部的統計，2013年我國半導體照明應用領域的整體規模已經達2068億元，同比增長36%。其中通用照明市場產值696億元，增長率最高達65%，占LED應用市場的份額也由2012年的28%增加到2013年的34%；由于平板電腦的需求推動以及LED背光液晶電視的滲透率繼續提高，背光應用也保持了較快增長，增長率約35%，產值達到390億元。此外，LED汽車照明、醫療、農業等新興照明領域的應用也增長明顯，增長幅度超過25%，同時光通訊、可穿戴電子以及在航天航空等領域的應用也是2013年LED應用的亮點。

的核心材料是鎵（Ga）與砷（AS）、磷（P）、銦的化合物制成的半導體芯片的發光材料。目前，基于寬禁帶半導體材料氮化鎵（GaN）和銦氮化稼（InGaN）的是最具有商業應用價值的LED燈材料之一。2013年，我國芯片環節產值達到105億元，增幅31.5%；產量增幅更是高達61%，其中GaN芯片的產量占比達65%，而以InGaAlP芯片為主的四元系芯片的產量占比為25%，GaAs等其他芯片占比為10%左右。

據專家預測，2014年我國LED行業將延續2013年上升勢頭，迎來新一輪的增長，預計增長率將達到40%左右。全球LED照明的快速發展，必將會帶動鎵和銦等半導體金屬需求的快速增長，也會帶動越來越多的企業和個人關注銦和鎵等稀有金屬。作為全球銦、鎵等稀有金屬交易量和庫存量最大的現貨交易所，泛亞有色金屬交易所在稀有金屬行業內的優勢地位也會逐漸凸顯。

(關鍵字：LED 照明 銦 鎵)