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1、光電轉(zhuǎn)化率:
砷化鎵的禁帶較硅為寬,使得它的光譜響應(yīng)性和空間太陽光譜匹配能力較硅好。目前,硅電池的理論效率大概為23%,而單結(jié)的砷化鎵電池理論效率達(dá)到27%,而多結(jié)的砷化鎵電池理論效率更超過50%。
2、耐溫性
常規(guī)上,砷化鎵電池的耐溫性要好于硅光電池,有實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)表明,砷化鎵電池在250℃的條件下仍可以正常工作,但是硅光電池在200℃就已經(jīng)無法正常運(yùn)行。
3、機(jī)械強(qiáng)度和比重
砷化鎵較硅質(zhì)在物理性質(zhì)上要更脆,這一點(diǎn)使得其加工時(shí)比容易碎裂,所以,目前常把其制成薄膜,并使用襯底(常為Ge[鍺]),來對抗其在這一方面的不利,但是也增加了技術(shù)的復(fù)雜度。